Micron собирается начать производство модулей памяти формата DDR4

8 мая 2012 г.

Компания Micron, совместно с Nanya Technology, в конце 2012 года собирается начать производство новых модулей памяти формата DDR4. В компании рассчитывают, что новый формат придет на смену современным DDR3.

Уже в середине 2012 года инженерный совет по электронным устройствам (JEDEC) должен утвердить окончательный вариант спецификации на память DDR4.

По словам разработчиков, новый формат памяти будет экономичнее и быстрее по сравнению с DDR3. Минимальное напряжение, которое потребуется для работы DDR4 находится на уровне 1,2 вольта, по сравнению с предыдущими полтора вольтами. Частота работы шины составит 2133 МГц, что также увеличивает скорость передачи данных. Кроме этого, обещают увеличить производительность чтения, записи и обновления данных.

В компании отмечают, что со временем они собираются довести производительность работы памяти до 3,2 гигатрансфера (единица измерения, определяющая количество произведенных операций по пересылке данных в секунду).

Предполагается, что первые модули памяти будут предназначены для серверов, после чего на рынке должны появиться варианты памяти и для ноутбуков.